KOH影响

经过相同时间抛光碱浓度越高，溶液腐蚀力度过强，导致添加剂对 正面保护的效果，导致正面过刻甚至抛光 ，碱浓度过低抛光效果不佳，抛光周期长。

温度影响

01

现象：碱抛后的硅片，背面边缘或边角有局部没有抛光。

原因分析：背面去PSG时，背面局部未接触HF，导致没有完全去除背面PSG。

解决方案：调整去PSG液位，水平度等参数。

02

现象：碱抛后的硅片，背面亮度不均匀，反射率低，减重小。

原因分析：抛光槽碱浓度过低，导致抛光反应不充分。

解决方案：补加碱，提高抛光槽碱浓度。

03

现象：碱抛后的硅片，正面边缘或边角有明显的过抛现象，正面边缘有斑点过抛。

原因分析：背面去PSG过刻，导致翻液破坏正面PSG，抛光槽正面过抛。

解决方案：调整去PSG液位，水平度等参数，防止过刻。

04

现象：碱抛后的硅片，正面出现环状抛光，且批量出现同一位置。

原因分析：硅片进入背面PSG刻蚀时，扩散面放反，导致正面PSG保护层被破坏。

解决方案：梳理产线工艺流程，禁止扩散反片硅片流入抛光工序。

05

现象：碱抛后的硅片，正面边缘带状区域被抛光。

原因分析：背面去PSG刻蚀时，正面水膜没有完整覆盖硅片正面。

解决方案：去PSG刻蚀机台的水膜流量加大。

06

现象：正面不规则过抛，过抛区域边缘界限不明显，连续每批都出现。

原因分析：

扩散面扩散PSG不均匀；

抛光槽添加剂浓度不够；

抛光槽溶液比例失衡，硅酸盐浓度过高；

抛光槽溶液寿命到期。

解决方案：

调整扩散工艺，加厚表面PSG；

补加添加剂；

排查精排排液情况是否正常，补液是否正常；

延长精排时间，同时提高添加剂补加比例；

重新换液，清洗槽体。